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WBG Webinar - 1250 V PowiGaN Expends GaN Application Range

2024电源网宽禁带半导体——第五场
2024 May 16, 14:00 - 15:00 (Asia/Shanghai)

China


《2024电源网宽禁带半导体——第五场》

14:00
《1250V GaN扩展了宽禁带器件应用范围》

1.回顾PowiGaN™开关技术的性能和可靠性,并展示实际设计中的工作和击穿电压余量
2.进一步考察新器件的实际击穿点,并展示在不同工作电压条件的预测寿命模型(HTRB)
3.讨论RDS(ON)在延长时间段内的稳定性以及对实际设计的影响

闫金光Power Integrations 资深技术培训经理

阎金光毕业于哈尔滨工程大学电子工程专业,早期工作于中国科学院沈阳科学仪器研制中心,从事线性及半桥开关电源产品的研发。2001年加入Power Integrations,作为高级技术应用支持工程师致力于开关电源IC的推广及应用工作。在对客户产品研发、生产提供技术支持的过程当中积累了丰富的现场及应用技术知识。目前工作于Power Integrations圣何塞总部,主要负责Power Integrations 产品技术培训及市场推广工作,对AC/DC开关电源设计及应用有较深入的理解和研究。

15:00
《碳化硅功率器件特性与驱动电路设计》

碳化硅基功率器件是半导体器件的新兴研究热点,与传统Si基功率器件相比,碳化硅基功率器件具有更低的导通电阻、更快的开关速度和更高的结温承受能力,因此将碳化硅基功率器件应用于变换器中可以提高变换器效率、开关频率,降低无源器件的体积、重量,提高功率密度。但传统Si基器件的驱动设计不能直接应用于碳化硅器件,碳化硅器件驱动存在诸多挑战需要解决,包括:

① 驱动电压和驱动电阻的选择;
② 隔离供电电源和隔离芯片的要求;
③ 传输延迟时间和控制死区时间;
④ 高du/dt引发的桥臂串扰和密勒箝位保护;
⑤ 高di/dt引发的电压尖峰和抑制方法;
⑥ 碳化硅器件的短路特性和去饱和保护电路的优化。

秦海鸿南京航空航天大学自动化学院副教授

秦海鸿南京航空航天大学副教授,美国马里兰大学高级访问学者,英国诺丁汉大学国家公派访问学者,江苏省“创新创业岗”特聘专家。长期从事航空航天、军事装备用电源系统及电机驱动系统,以及第三代半导体器件应用研究与开发工作。近年来参与及承担国家自然科学基金重点项目、教育部博士点基金、宽禁带电力电子器件国家重点实验室开放基金、台达科教基金重点项目、航空单位及相关企业合作项目等多项课题研究任务。发表学术论文80余篇,授权发明专利12项,出版专著《多电飞机的电气系统》、《碳化硅电力电子器件原理与应用》、《氮化镓电力电子器件原理与应用》、《混合励磁电机的结构与原理》。

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